Name: Harris Corporation HUF75639S3
Brand: Harris Corporation
SKU: HUF75639S3
Price: 1.46 USD
Availability: InStock
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Harris Corporation HUF75639S3

Artikelnummer:

HUF75639S3

Hersteller / Marke:

Fairchild (onsemi)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

Datenblätte:

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$1.46

Spezifikationen
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Verpackung

~~Harris Corporation HUF75639S3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments HUF75639S3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 56A, 10V
Verlustleistung (max)	200W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	56A (Tc)
HUF75639S3 Einzelheiten PDF [English]	HUF75639S3 PDF - EN.pdf

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